| 出展のみどころ |
GaNやInNなど、結晶が極性を有する誘電体化合物を接合したときに結晶の自発分極に起因して発生する電位勾配をを利用した、p-n 接合を用いないユニークな動作原理の太陽電池。
p-n 接合に比べて二桁以上大きな電位勾配（〜１MV/cm）を持たせることができ、その結果電子・ホールが素早く非常に薄い数百nmの活性層を移動するため、さらにセルの構造により拡散領域が存在しないために熱緩和損失がほとんどなく、従来の太陽電池よりもかなり高い変換効率が期待できる。
全体の厚みが数百nmの薄膜型なので材料使用量が少なく、CVDやスパッタリングで製造できる可能性もあり、さらに、不純物ドーピングも不要なため製造コストも従来型よりも低くなる可能性がある |